Kamis, 19 Mei 2011

Transistor Intel Dengan Desain 3D Tri-Gate 22 nm

Sejak ditemukan oleh tiga orang sarjana dari perusahaan Telepon Bell USA tahun 1948, Transistor telah mengalami perkembangan cukup pesat. Berita terakhir Intel mengumumkan Transisor terbarunya yang didesain menggunakan teknologi 3D Tri-Gate dan diproses melalui lithografi 22 nm. Selanjutnya processor masa depan Intel akan dirancang menggunakan Transistor 3D Tri-Gate 22 nm menggantikan Transistor planar konvensional. Salah satu diantaranya adalah processor Ivy Bridge yang menurut roadmap akan dirilis pada tahun 2012. Jika dibandingkan dengan Transistor planar, maka Transistor 3D Tri-Gate 22 nm buatan Intel memungkinkan untuk terciptanya serangkaian perbaikan yang mengarah pada efisiensi energi dari sebuah desain processor. Disamping itu kinerja chip juga mengalami peningkatan sebagai akibat dari menurunnya waktu switching Transistor, serta memungkinkan tercapainya tingkat kepadatan (densities) Transistor yang tinggi. Intel mengkalim bahwa dengan beralihnya ke teknologi 3D Tri-Gate dapat meningkatkan kepadatan ganda, artinya sebuah die mampu menampung jumlah Transistor lebih banyak dua kali lipat.

Transistor Intel 3D Tri-Gate 22 nm

Ivy Bridge akan menjadi processor pertama yang mengaplikasikan desain 3D Tri-Gate untuk meningkatkan kecepatan switching Transistor pada tegangan yang sama. Dengan demikian bukan tidak mungkin Intel mampu mencapai frekuensi clock 4 GHz pada processor Extreme Edition-nya. Keuntungan yang dihasilkan dari teknologi 3D Tri-Gate akan membawa pengaruh besar bagi desain Intel Atom masa depan. Seperti kita ketahui bahwa Intel saat ini sedang memproses Oak Trail maupun Cedar Trail untuk digunakan pada Smartphone dan Tablet.



Baca juga :

Tidak ada komentar:

Posting Komentar

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 3.0 Unported License.Ping Blog