Toshiba Memory NAND Flash e-MMC 24nm

Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) telah memperkenalkan Memory NAND Flash e-MMC™ terbarunya yang diproduksi melalui teknologi 24nm. Memory NAND Flash e-MMC™ mampu mengurangi bottleneck yang sering terjadi pada NAND date rate tunggal. Memory NAND Flash e-MMC 24nm dari Toshiba ini menggunakan mode toggle date rate ganda (DDR) untuk meningkatkan kinerja dan mempercepat random akses lebih serta kinerja sekuensial. Dengan range densitas mulai dari 2 GB sampai 128 GB, maka Memory NAND Flash e-MMC 24nm ini merupakan modul yang mempunyai fitur geometri terkecil di dunia dengan kapasitas terbesar. Selain itu Memory NAND Flash e-MMC 24nm mendukung standar e-MMC JEDEC 4.41.

"Pemanfaatan die toggle-mode DDR NAND pada densitas 64 GB merupakan kunci e-MMC kami untuk mendukung kenerja yang lebih tinggi, lebih kecil dan paket yang tipis sesuai keinginan pelanggan. Sebagai contoh, e-MMC 128 GB sekarang dapat didukung dalam paket lebih kecil 14x18, yang mana terdapat ruang lebih besar bagi aplikasi pendukung", kata Scott Beekman seorang manajer pengembangan bisnis senior TAEC.

Fitur Memory NAND Flash e-MMC 24 nm :

• Kinerja lebih cepat dengan menggunakan toggle-mode DDR NAND.
• Mendukung standar JEDEC e-MMC V4.41.
• Mendukung produk dengan kapasitas 2 GB hingga 128 GB.
• Die 64 Gbit 24 nm memungkinkan produksi paket e-MMC yang lebih kecil.
• Mendukung partisi dan keamanan e-MMC V4.41.

Berikut beberapa keluarga Memory NAND Flash e-MMC 24nm :

Density	Package	Start of samples	Start of mass production
2GB	11.5x13.0x1.0mm	4Q11	1Q12
4GB	11.5x13.0x1.0mm	3Q11	4Q11
8GB	11.5x13.0x1.0mm	Now	3Q11
16GB	12.0x16.0x1.2mm	Now	3Q11
32GB	12.0x16.0x1.2mm	Now	3Q11
64GB	14.0x18.0x1.2mm	Now	3Q11
128GB	14.0x18.0x1.2mm	3Q11	4Q11

Baca juga :

• DDR4 Terbaru dari Samsung
• DDR4 DRAM Hynix
• Memory DDR3 PC3-17000 Flex EX XLC TripleChannel
• Samsung GreenMemory
• Memory NAND Flash 20 nm 8 GB dari Intel dan Micron